TC58CYG0S3HxAIx

概述：

TC58CYG0S3HxAIx是用于支持SPI接口的嵌入式应用的串行接口NAND Flash。

TC58CYG0S3HxAIx被组织为（2048 + 64）字节×64页×1024块。 该器件具有2112字节的数据缓冲器，允许以2112字节的增量在缓冲器和存储器单元阵列之间传输编程和读取数据。 擦除操作在单个块单元（128K字节+ 4KB：2112字节×64页）中实现。 器件具有用于顺序页读取操作的高速模式。 当使能高速模式时，tR的平均值缩短。

TC58CYG0S3HxAIx芯片上具有ECC逻辑，可以纠正每个（512字节+ 16字节）的8位读取错误。 内部ECC逻辑具有详细的位翻转计数报告。

定义和缩写

SPI

串行外设接口。

地址

该地址由具有12bits的列地址（CA）和具有16bits的行地址（RA）组成。 行地址标识要访问的页和块。 列地址标识要访问的页面内的字节。

柱

页面中的字节位置。

行

请参阅要访问的块和页面。

部门

一个页面中的512字节单位。

页

用于读取和编程操作的最小可寻址单元。

块

由多页组成，是擦除操作的最小可寻址单元。

数据缓冲区

用于将数据传输到单元阵列和从单元阵列传输数据的缓冲区。

单元阵列

NAND闪存的存储单元

设备

封装的NAND单元。

特性：

组织

组织（内部ECC已启用，默认）

存储单元阵列2112×64×1024×8位

数据缓冲器2112×8位

页面大小2112字节

块大小（128K + 4K）字节

组织（内部ECC已禁用）

存储单元阵列2176×64×1024×8位

数据缓冲器2176×8位

页面大小2176字节

块大小（128K + 8K）字节

ECC

每个512字节需要8位ECC。 该器件内部具有ECC逻辑

模式：

页读取，页编程，块擦除，内部数据移动，复位，写使能，写禁止，块锁定，获取功能，设置功能，块保护，参数页读取，读ID，唯一ID读。

电源VCC = 1.7 V至1.95 V

访问时间单元阵列到数据缓冲器155μsmax

                   70μs（典型值）

数据传输速率104 MHz以下

编程/擦除时间

编程时间360μs/页typ

块擦除时间2.7 ms /块typ

工作电流

读取工作电流，HSE开启（平均）21 mA最大

读取工作电流，HSE关闭（平均）15 mA最大

程序工作电流（平均）18 mA最大

擦除操作电流（平均）22 mA最大

待机电流最大180μA

        35 uA typ

可靠性参见可靠性说明。

封装： SOP16 (P-SOP16-1111-1.27-001)

     WSON8 (P-WSON8-0608-1.27-003)

引脚分配：