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铠侠今日正式启用了两个位于神奈川县横滨市全新的研发中心大楼，分别是铠侠横滨技术园区旗舰大楼，以及铠侠新子安前沿科技研发中心大楼。新研发中心的加入，将会进一步加强铠侠在闪存、固态硬盘方面的研发能力。不仅如此，未来神奈川县的其他研发岗位也会迁移至这两个全新的研发中心，以提升研究效率，并促进存储新技术的诞生。
其中，横滨技术园区旗舰大楼的正式启用，帮助铠侠横滨科技园区规模扩大了将近一倍，主要负责评估闪存和固态硬盘产品性能，以提升整体产品开发进度和产品进度。旗舰大楼配备了相应的环保设施，并获得了ZEB-Ready认证*1 。旗舰大楼提供提升能源效率，可将能源消耗降低50%以上，因此建筑设计本身也体现了铠侠对环保的持续践行。
铠侠新子安前沿科技研发中心主要专注新材料、新工艺和新设备在内的泛半导体领域研发。该研发中心拥有先进的洁净室，并同样使用了环保设计。
铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示：“我们非常高兴铠侠的新研发设施正式投入运营。自从铠侠发明NAND闪存以来，铠侠一直引领着存储产品创新超过35年。在两个新研发中心的带动下，铠侠将进一步加速和深化研发活动，为将到来的未来数字社会产品、服务和技术提供可靠、高效的存储保障。”
除了下一代存储技术，铠侠还从事各领域的研发工作。其中包括面向数据中心的计算系统，以及基于人工智能的数字化转型系统技术。铠侠还与日本本土大学、国外大学、研究机构和公司共同合作，一起构建全新的存储生态，促进存储领域的开放式创新。
铠侠在“记忆由芯 世界尤新”的使命下，将持续致力于增强闪存和固态硬盘业务竞争力，用存储为世界贡献更多价值。
横滨科技园区旗舰大楼
地点：Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
高度：6 层
总建筑面积：约40,000 m2
Shin-Koyasu（新子安）前沿科技研发中心
地点：Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
高度：4 层
总建筑面积：约 13,000 m2
ZEB 代表净零能源建筑。ZEB代表准净零能耗建筑。ZEB-Ready是日本建筑效能标签系统指定的等级之一，用以证明该建筑物能够提供舒适的室内环境，同时相对传统标准能耗降低50%甚至更多，并且不包括可再生能源。