TB67S109AFNAG

A4988中文资料a4988模块中文资料a4988驱动模块a4988中文资料bd9488f驱动芯片电路图A4988驱动A4988说明a4988驱动中文资料DRV8824DRV8825步进电机驱动芯片

TOSHIBA BiCD集成电路硅单片

CLOCK-in控制双极步进电机驱动器

TB67S109AFNAG是使用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器。 

解码器中的时钟内置。采用BiCD工艺制造，额定值为50 V / 4.0 A

特性：

·BiCD工艺集成单片IC。

·可控制1个双极步进电机。 ·PWM控制恒流驱动。

·允许完整，半，四分之一，1/8，1/16，1/32步进操作。

·低导通电阻（高+低边=0.49Ω（典型值））MOSFET输出级。

·高效电机电流控制机制（高级动态混合衰减）

·高电压和电流（有关规格，请参考绝对最大额定值和工作范围）

·错误检测（TSD / ISD）信号输出功能

·内置错误检测电路（热关断（TSD），过流关断（ISD）和上电复位（POR））

·内置VCC调节器，用于内部电路使用。

·电机的斩波频率可以通过外部电阻和电容器定制。

·封装：TB67S109AFNAG：HSSOP36

注）使用时请注意散热条件

拓展应用电路，在应用中根据需要增加功能。

　　用来实现降低锁相电路，从而降低驱动芯片的锁相功耗，具体应用电路如下图：

图1

图1，左、右两方框电路用来设置参考电压。当VCC＝5V，DOWN≈VCC，两方框生成的分压值相等。　当DOWN＝L（≈GND），参考电压会降低一半。具体看下面仿真图中的数据差异：

　　　　　　　　　图2　　　　　　　　　　　　　　　　　       图3

图2、图3中的S1可以用推挽输出端口代替，比如74LVC245、MCU等等，只要高电平与VCC大约相等。　这样就可以通过其它器件来实现半流锁相。注：推挽端口输出状态只有高电平、低电平两种。若是端口是开路输出的，相应要调整电阻参数。

　　图4

使用74HC123实现的自动半流锁相电路

待机功能的单端口控制（ST的作用1是实现待机控制。作用2是让芯片从保护状态中恢复正常工作）

芯片的待机（ST）功能整合在细分表中，只能通过细分设置端来选择ST功能。

上面是两种简化实现单端口控制ST的电路