TOSHIBA BiCD集成电路硅单片
4沟道大电流吸收型DMOS晶体管阵列
TBD62064AFAG是具有4个电路的DMOS晶体管阵列。
它具有钳位二极管,用于切换每个输出中内置的感性负载。使用时请注意散热条件。
特征
•内置4个电路
•高电压:VOUT = 50 V(MAX)
•高电流:IOUT = 1.5 A / ch(MAX)
•输入电压(输出开):2.5 V(MIN)
•输入电压(输出关闭):0.6 V(MAX)
•封装:P-SSOP24-0613-1.00-001