2SK2201

TOSHIBA场效应晶体管硅N沟道MOS型（L2-π-MOSV）

斩波调节器，DC / DC转换器和电机驱动

应用

􀁺4 V栅极驱动

􀁺低漏源导通电阻：RDS（ON）= 0.28Ω（典型值）

􀁺高正向传输导纳：| Yfs | = 3.5 S（典型值）

􀁺低漏电流：IDSS = 100μA（最大）（VDS = 100 V）

􀁺增强模式：Vth = 0.8〜2.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）

注意：在重负载下连续使用（例如高温/电流/电压的应用以及显着的变化温度等）可能导致该产品的可靠性显着降低，即使操作条件（即操作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值内。 请在阅读“东芝半导体可靠性手册”（“使用注意事项”/“降额概念和方法”）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）时设计适当的可靠性。