2SK3569

TOSHIBA场效应晶体管硅N沟道MOS型（π-MOSVI）

开关稳压器应用

•低漏源导通电阻：RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）

•高正向传输导纳：| Yfs | = 8.5 S（典型值）

•低漏电流：IDSS = 100μA（最大）（VDS = 600 V）

•增强模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

注意：即使在工作条件（即工作温度/电流/电压）下，连续在重负载下使用（例如高温/电流/电压的应用和温度的显着变化等） 电压等）在绝对最大额定值内。 请在阅读“东芝半导体可靠性手册”（“使用注意事项”/“降额概念和方法”）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）时设计适当的可靠性。